三安光电拟投资120亿建Mini/MicroLED研发基地

来源: 中国照明网

8月21日消息,三安光电目前正在中国中部建设一个Mini/Micro LED研发基地,投资额为120亿元人民币(17亿美元)。


三安光电拟投资120亿建Mini/MicroLED研发基地


消息人士表示,三安将在该研发基地展开GaN和GaAs Mini/Micro LED芯片以及4K显示器的研发。与此同时,三安还计划在该基地建立161万个GaN Mini/Micro LED芯片、750,000个GaAs Mini/Micro LED芯片以及84,000个4K显示器的年生产能力。GaN业务部门年产能将包括720,000个蓝光Mini LED芯片、90,000个蓝光Micro LED芯片、720,000个绿光Mini LED芯片和80,000个绿光Micro LED芯片,而GaAs业务部分年产能将包括660,000个红光Mini LED芯片和90,000个红光Micro LED芯片。


三安光电拟投资120亿建Mini/MicroLED研发基地


然而,消息人士指出,三安光电目前尚未透露何时开始生产GaN和GaAs Micro LED芯片。此外,三安光电已经与三星电子合作,共同开发Mini/Micro LED技术。而总部位于中国台湾的PlayNitride,则计划在2019年8月底开始试产多达3000片LED外延片,而三星也已选择PlayNitride作为其Micro LED外延片的独家供应商。


三安光电股份有限公司成立于2000年11月,于2008年7月在上海证券交易所挂牌上市(股票代码:600703),总部坐落于素有“海上花园”之称的厦门,产业化基地分布在厦门、天津、芜湖、泉州等多个地区,是国家发改委批准的“国家高科技产业化示范工程”企业、工业和信息化部认定的“国家技术创新示范企业”,承担了国家“863”、“973”计划等多项重大课题,拥有国家人事部颁发的博士后科研工作站及国家认定的企业技术中心。


三安光电拟投资120亿建Mini/MicroLED研发基地


三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售,产品性能指标居国际先进水平。公司凭借强大的企业实力,继2014年扩大LED外延芯片研发与制造产业化规模、同时投资集成电路产业,建设砷化镓高速半导体与氮化镓高功率半导体项目之后, 2018年三安光电在福建泉州南安高新技术产业园区,斥资333亿元投资Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、LED外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SIC材料及器件、特种封装等产业。2022年项目建成后,三安光电将实现在半导体化合物高端领域的全产业链布局,公司的高新技术及生产规模迈入国际先进行列。


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