长鑫存储开始生产19纳米DDR4内存,计划2020年Q1上市

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12月3日消息 根据AnandTech的报道,长鑫存储科技有限公司已经开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存。目前,该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图,并计划在未来生产所有类型的DRAM。不仅如此,长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。


长鑫存储开始生产19纳米DDR4内存,计划2020年Q1上市


据报道,目前,长鑫存储正使用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来制造4GB和8GB的DDR4内存芯片,目标是在2020年第一季度上市。长鑫存储还将使用同样的技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。该公司的技术路线图包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。


近年来,我国加大对半导体产业的投资力度,鼓励国产厂商涉足以往被外国公司垄断的芯片产业,现在国产存储产业发展也开始有起色了。


根据之前的报道,长鑫存储诞生于2016年,专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的研发、生产和销售,目前已建成第一座12英寸晶圆厂。


国产存储企业的不断崛起,应该会让存储芯片的价格进一步降低,这对消费者来说是好事儿。


目前,国内DRAM厂商主要有紫光国芯、福建晋华、合肥长鑫、长江存储等。紫光国微旗下的西安紫光国芯目前最新DDR4芯片已经小批量产。福建晋华计划于2018年下半年量产。合肥长鑫的DRAM项目计划2018年底量产,长江存储的DRAM进度则稍慢,目前2018年内NAND FLASH小规模量产。另外,紫光南京半导体基地也计划生产DRAM。


西安紫光国芯的前身是西安华芯半导体,2015年被紫光集团旗下紫光国芯(现更名紫光国微)收购,西安华芯则是浪潮集团2009年通过收购奇梦达科技(西安)有限公司而成立,奇梦达原为英飞凌科技存储器事业部拆分独立而来。西安紫光国芯的核心业务是存储器设计开发,自有品牌存储器产品量产销售,以及专用集成电路设计开发服务。


福建晋华集成电路由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立,与台湾联华电子开展技术合作,在福建省晋江市建设12吋内存晶圆厂生产线,开发先进存储器技术和制程工艺,并开展相关产品的制造和销售。由台联电出技术,晋华提供设备与资金,在晋江生产。主要生产利基型DRAM产品,采用32纳米工艺制程。


长鑫存储开始生产19纳米DDR4内存,计划2020年Q1上市


合肥长鑫则是由合肥市政府支持,兴建12寸晶圆厂发展DRAM产品,2018年初位于合肥空港经济示范区的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目的300台研发设备已全部到位,2018年7月投片试产,工艺制程为19纳米。


按照合肥长鑫存储器项目的5年规划:2018年1月一厂厂房建设完成,并开始设备安装;2018年底量产8Gb DDR4工程样品;2019年3季度量产8Gb LPDDR4;2019年底实现产能2万片/月;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。


长鑫存储也是全球第四家DRAM产品采用20纳米以下工艺的厂商。另外三家是目前DRAM存储的三大巨头,三星、SK海力士、美光。这三家的DRAM全球市占率超过95%。


据预计,长鑫12寸存储器晶圆制造项目投产后,将占据世界DRAM市场约8%的份额。然而,无论是福建晋华的合作共赢,还是紫光对存储的布局,以及长鑫存储的快速发展、领先的工艺制程等,不难看出,中国DRAM存储器发展的决心,当然面对如今的DRAM市场的霸主格局,也必将经历一场虎口夺食的竞争。

文章来源: IT之家

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